在電力電子領(lǐng)域，SiC（碳化硅）功率器件因其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性備受關(guān)注，能夠滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，因此在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

然而，國(guó)產(chǎn)SiC功率器件在面臨良率低、成本高等問(wèn)題的同時(shí)，一致性和可靠性也是市場(chǎng)應(yīng)用的攔路虎。為了獲取市場(chǎng)信任與認(rèn)可，SiC功率器件需要進(jìn)行可靠性驗(yàn)證，其中高溫反偏試驗(yàn)（HTRB）是一項(xiàng)關(guān)鍵的驗(yàn)證試驗(yàn)。

1. 高溫反偏試驗(yàn)HTRB的作用

高溫反偏試驗(yàn)?zāi)M器件在靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)工作模式下，以最高反偏電壓或指定反偏電壓進(jìn)行工作，以研究偏置條件和溫度隨時(shí)間對(duì)器件的壽命模擬。這項(xiàng)試驗(yàn)通常被視為一篩或二篩的核心試驗(yàn)。

2. 高溫反偏HTRB的試驗(yàn)條件

高溫反偏試驗(yàn)采用的主要試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)有MIL-STD-750 方法1038、JESD22-A108、GJB 128A-1997 方法1038、AEC-Q101表2 B1項(xiàng)等。各類標(biāo)準(zhǔn)從試驗(yàn)溫度、反偏電壓電參數(shù)測(cè)試等方面做出了明確的定義，車規(guī)要求尤為嚴(yán)苛。

3. SiC功率器件高溫反偏試驗(yàn)HTRB的過(guò)程監(jiān)控

高溫反偏試驗(yàn)過(guò)程中需要實(shí)時(shí)監(jiān)控漏電流等參數(shù)，以觀察器件的試驗(yàn)狀態(tài)，并及時(shí)發(fā)現(xiàn)器件的異常。SiC功率器件的漏電流通常較小，若存在缺陷，漏電會(huì)隨時(shí)間逐漸增加。

4. 如何通過(guò)高溫反偏試驗(yàn)？

SiC功率器件的材料、結(jié)構(gòu)、封裝可靠性是高溫反偏試驗(yàn)的重點(diǎn)考察對(duì)象。因此，在產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段就需考慮風(fēng)險(xiǎn)，綜合考量電場(chǎng)、高溫對(duì)材料、結(jié)構(gòu)、鈍化層的老化影響，提升良品率。

江蘇粵科檢測(cè)擁有完整的車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體AEC-Q101認(rèn)證能力，為SiC功率器件提供專門定制的超高溫超高壓反偏試驗(yàn)服務(wù)。我們可針對(duì)不同產(chǎn)品定制試驗(yàn)方案，提供高精度的漏電監(jiān)控系統(tǒng)，確?？蛻臬@得相關(guān)可靠性認(rèn)證報(bào)告。我們的試驗(yàn)系統(tǒng)能夠提供5000V/225℃的高溫反偏試驗(yàn)?zāi)芰Γ⑴浜鲜Х治鰧?shí)驗(yàn)室給出解決方案，為您的SiC功率器件提供全方位的可靠性驗(yàn)證服務(wù)。

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